温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHG075N65E-GE3-HXY
SIHG075N65E-GE3-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值和650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至+20V内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。其电气参数组合有助于实现紧凑的电路布局与较高的系统能效。
- 商品型号
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133993
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
相似推荐
其他推荐
- STW35N65M5-HXY
- IXFX120N65X2-HXY
- NTH027N65S3F-F155-HXY
- NTHL027N65S3HF-HXY
- NVHL027N65S3F-HXY
- SCT3022ALGC11-HXY
- SCT3022ALHRC11-HXY
- SICW020N065H-BP-HXY
- SICW020N065H4-BP-HXY
- NVH4L027N65S3F-HXY
- G3F25MT06K-HXY
- DIF065SIC030-HXY
- NTH4L023N065M3S-HXY
- NVH4L023N065M3S-HXY
- IPW60R037P7XKSA1-HXY
- IXFH80N65X2-HXY
- IXTH80N65X2-HXY
- SCT3030ALGC11-HXY
- SCT3030ALHRC11-HXY
- IPZ60R037P7XKSA1-HXY
- G3F33MT06K-HXY