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SIHG075N65E-GE3-HXY
SIHG075N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流额定值和650V的漏源击穿电压，导通电阻为75mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至+20V内可靠运行。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。其电气参数组合有助于实现紧凑的电路布局与较高的系统能效。
- 商品型号
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133993
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
参数完善中
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