NTHL027N65S3HF-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙碳化硅MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V，具备良好的开关特性与热稳定性，能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTHL027N65S3HF-HXY

商品编号

C53133997

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.07克(g)