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NTH027N65S3F-F155-HXY
NTH027N65S3F-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗。其低RDS(on)有助于提升系统整体效率，而较宽的VGS范围则增强了驱动灵活性和电路兼容性，适用于高功率密度及高效率要求的电源转换应用。
- 商品型号
- NTH027N65S3F-F155-HXY
- 商品编号
- C53133996
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.795克(g)
商品参数
参数完善中
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