STL13N65M2-HXY

STL13N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL13N65M2-HXY

商品编号

C53134019

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)