- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL13N65M2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
- 商品型号
- STL13N65M2-HXY
- 商品编号
- C53134019
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 184pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 具有低电容，支持高速开关
- 反向恢复电荷低
- 无卤素，符合 RoHs 标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压 DC/DC 转换器
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