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SIHG22N65E-GE3-HXY
SIHG22N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。其采用碳化硅材料，具有较低的导通与开关损耗，以及良好的高温工作稳定性。适用于对效率和体积有较高要求的电源系统，如通信设备供电、可再生能源转换装置、高频开关电源及高密度功率模块等场景。
- 商品型号
- SIHG22N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134044
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.31克(g)
商品参数
参数完善中
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