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STW26N65DM2-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源电压额定值为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备高击穿电压与较低导通损耗的特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性，在开关电源、可再生能源变换器及高密度电力电子模块中可实现稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- STW26N65DM2-HXY
- 商品编号
- C53134046
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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