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STW20NM65N-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出优异的开关性能和热稳定性。适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源转换场合，如高频开关电源、光伏逆变系统及高功率密度电能变换模块，能够在严苛电气环境下保持可靠运行。
- 商品型号
- STW20NM65N-HXY
- 商品编号
- C53134047
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
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