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STW20N65M5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性，可降低开关损耗、提高系统开关频率和功率密度
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的漏极电流能力，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。碳化硅材料带来的高热导率和低开关损耗特性，使其适用于高频、高效率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的功率开关环节。
- 商品型号
- STW20N65M5-HXY
- 商品编号
- C53134049
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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