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SIHG21N65EF-GE3-HXY
SIHG21N65EF-GE3-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定运行，满足多种电源管理与能量转换系统的设计需求。
- 商品型号
- SIHG21N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134045
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
参数完善中
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