温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHG21N65EF-GE3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定运行，满足多种电源管理与能量转换系统的设计需求。
- 商品型号
- SIHG21N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134045
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |
相似推荐
其他推荐
- STW26N65DM2-HXY
- STW20NM65N-HXY
- STW24NM65N-HXY
- STW20N65M5-HXY
- STF9HN65M2-HXY
- DMG9N65CTI-HXY
- IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY
- IXTX102N65X2-HXY
- IXTR102N65X2-HXY
- IPT65R025CM8XTMA1-HXY
- IPWS65R035CFD7AXKSA1-HXY
- STW78N65M5-HXY
- STW88N65M5-HXY
- AOTF7N65
- STP16N65M5-HXY
- SIHG64N65E-GE3-HXY
- STW62N65M5-HXY
- STW65N65DM2AG-HXY
- SIHG041N65SF-GE3-HXY
- STW69N65M5-HXY
- STW77N65M5-HXY