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SCT3080ALHRC11-HXY
SCT3080ALHRC11-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定运行。
- 商品型号
- SCT3080ALHRC11-HXY
- 商品编号
- C53134027
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.93克(g)
商品参数
参数完善中
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