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SCT3080ALHRC11-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定运行。
- 商品型号
- SCT3080ALHRC11-HXY
- 商品编号
- C53134027
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带碳化硅MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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