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IPW65R045C7FKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻RDS(ON)为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。其宽驱动电压范围有助于提升开关可靠性，低导通电阻可有效降低导通损耗，适用于高效率、高频率的功率转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的直流-直流或直流-交流变换环节。
- 商品型号
- IPW65R045C7FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134033
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.83克(g)
商品参数
参数完善中
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