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IPW65R045C7FKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻RDS(ON)为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。其宽驱动电压范围有助于提升开关可靠性，低导通电阻可有效降低导通损耗，适用于高效率、高频率的功率转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备中的直流-直流或直流-交流变换环节。
- 商品型号
- IPW65R045C7FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134033
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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