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SIHW64N65E-GE3-HXY
SIHW64N65E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用场合。
- 商品型号
- SIHW64N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134036
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.86克(g)
商品参数
参数完善中
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