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SIHW64N65E-GE3-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用场合。
- 商品型号
- SIHW64N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134036
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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