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STW40N65M2-HXY
STW40N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持38A的连续漏极电流，最大漏源电压为650V，导通电阻为95mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至+20V内可靠运行。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置中，有助于提升整体能效并减少热管理负担。
- 商品型号
- STW40N65M2-HXY
- 商品编号
- C53134040
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.04克(g)
商品参数
参数完善中
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