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STWA65N045M9-HXY
STWA65N045M9-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高功率密度电源、可再生能源逆变系统及对能效和热管理要求较高的电力电子设备。
- 商品型号
- STWA65N045M9-HXY
- 商品编号
- C53134037
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.75克(g)
商品参数
参数完善中
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