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STW50N65DM6-HXY
STW50N65DM6-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有38A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为95mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。
- 商品型号
- STW50N65DM6-HXY
- 商品编号
- C53134039
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.11克(g)
商品参数
参数完善中
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