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R6576KNZ4C13-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至44mΩ，栅极驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和热稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中可实现更低的开关损耗与更高的功率密度。其电气参数适合在严苛工作条件下维持稳定运行，适用于对能效和可靠性要求较高的应用场景。
- 商品型号
- R6576KNZ4C13-HXY
- 商品编号
- C53134035
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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