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R6576ENZ4C13-HXY
R6576ENZ4C13-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备70A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件在高电压条件下仍能维持较低的导通损耗，同时较宽的栅极驱动窗口有助于提升开关过程的稳定性与抗干扰能力。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、可再生能源并网设备及高密度电力电子模块。
- 商品型号
- R6576ENZ4C13-HXY
- 商品编号
- C53134034
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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