IPW60R045CPFKSA1-HXY

IPW60R045CPFKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、70A的连续漏极电流（ID）以及44mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的优势，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及高效电能管理设备，能够在较高结温下稳定运行，提升整体系统效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW60R045CPFKSA1-HXY

商品编号

C53134031

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.94克(g)