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IPW60R045CPFKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、70A的连续漏极电流（ID）以及44mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的优势，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及高效电能管理设备，能够在较高结温下稳定运行，提升整体系统效率。
- 商品型号
- IPW60R045CPFKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134031
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ |
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