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IMW65R083M1HXKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和高速开关特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中，能够在严苛电气环境下实现低损耗与高可靠性运行。
- 商品型号
- IMW65R083M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134028
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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