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IMW65R083M1HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中，能够在严苛电气环境下实现低损耗与高可靠性运行。
- 商品型号
- IMW65R083M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134028
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.99克(g)
商品参数
参数完善中
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