• IMW65R083M1HXKSA1-HXY商品缩略图
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型号:IMW65R083M1HXKSA1-HXY品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)名称:碳化硅功率MOSFET N沟道增强型,具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和高速开关特性
IMW65R083M1HXKSA1-HXY实物图
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IMW65R083M1HXKSA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IMW65R083M1HXKSA1-HXY参考售价为19.9元起,现货库存数量30个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准