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UJ3C065080K3S-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、可再生能源并网设备以及高密度电力电子模块中，能够支持紧凑型电路设计与长期稳定运行。
- 商品型号
- UJ3C065080K3S-HXY
- 商品编号
- C53134029
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.98克(g)
商品参数
参数完善中
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