NTH4L032N065M3S-HXY

NTH4L032N065M3S-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件结合碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高密度电力电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTH4L032N065M3S-HXY

商品编号

C53134017

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

10克(g)