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SCT3080ALGC11-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与低导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，同时在高电压应力下保持稳定工作性能。
- 商品型号
- SCT3080ALGC11-HXY
- 商品编号
- C53134026
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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