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SCT3080ALGC11-HXY
SCT3080ALGC11-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与低导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，同时在高电压应力下保持稳定工作性能。
- 商品型号
- SCT3080ALGC11-HXY
- 商品编号
- C53134026
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
参数完善中
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