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FCH099N65S3-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为36A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下具备较低的导通与开关损耗，同时支持较高的工作结温。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用，可在紧凑设计中实现稳定的电气性能与良好的热管理。
- 商品型号
- FCH099N65S3-F155-HXY
- 商品编号
- C53134024
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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