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UF3C065080K3S-HXY
UF3C065080K3S-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其电气参数组合使其能够在高电压、大电流条件下维持可靠运行，同时支持较宽的驱动电压窗口，便于与多种控制电路兼容。
- 商品型号
- UF3C065080K3S-HXY
- 商品编号
- C53134025
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.06克(g)
商品参数
参数完善中
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