NVH4L032N065M3S-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压范围为-10V至+25V。其低导通电阻有助于降低导通损耗，宽栅压范围提升了驱动灵活性。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率、高功率密度的电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统及数据中心供电架构。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVH4L032N065M3S-HXY

商品编号

C53134018

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

9.74克(g)