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SCT3022ALHRC11-HXY实物图
  • SCT3022ALHRC11-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SCT3022ALHRC11-HXY

SCT3022ALHRC11-HXY

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描述
该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性,器件在高频、高效率的电力转换场景中展现出较低的开关损耗与导通损耗,适用于对能效和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性,同时高耐压与大电流能力保障了在严苛电气环境下的稳定运行。
商品型号
SCT3022ALHRC11-HXY
商品编号
C53134002
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.23克(g)

商品参数

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参数完善中

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