SCT3022ALHRC11-HXY
SCT3022ALHRC11-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性,器件在高频、高效率的电力转换场景中展现出较低的开关损耗与导通损耗,适用于对能效和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性,同时高耐压与大电流能力保障了在严苛电气环境下的稳定运行。
- 商品型号
- SCT3022ALHRC11-HXY
- 商品编号
- C53134002
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.23克(g)
商品参数
参数完善中
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