温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCT3022ALHRC11-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，宽带隙技术，低导通电阻、电容和反向恢复，无卤且符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高效率的电力转换场景中展现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时高耐压与大电流能力保障了在严苛电气环境下的稳定运行。
- 商品型号
- SCT3022ALHRC11-HXY
- 商品编号
- C53134002
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |
相似推荐
其他推荐
- SICW020N065H-BP-HXY
- SICW020N065H4-BP-HXY
- NVH4L027N65S3F-HXY
- G3F25MT06K-HXY
- DIF065SIC030-HXY
- NTH4L023N065M3S-HXY
- NVH4L023N065M3S-HXY
- IPW60R037P7XKSA1-HXY
- IXFH80N65X2-HXY
- IXTH80N65X2-HXY
- SCT3030ALGC11-HXY
- SCT3030ALHRC11-HXY
- IPZ60R037P7XKSA1-HXY
- G3F33MT06K-HXY
- NTH4L032N065M3S-HXY
- NVH4L032N065M3S-HXY
- STL13N65M2-HXY
- FCH099N65S3-F155-HXY
- UF3C065080K3S-HXY
- SCT3080ALGC11-HXY
- SCT3080ALHRC11-HXY