SICW020N065H-BP-HXY

SICW020N065H-BP-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SICW020N065H-BP-HXY

商品编号

C53134003

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.15克(g)