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SICW020N065H-BP-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效与可靠性。
- 商品型号
- SICW020N065H-BP-HXY
- 商品编号
- C53134003
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |
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