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IPW60R037P7XKSA1-HXY
IPW60R037P7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- IPW60R037P7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134010
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.19克(g)
商品参数
参数完善中
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