温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPZ60R037P7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达99A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类高效电源系统及能量变换装置中。
- 商品型号
- IPZ60R037P7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53134015
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
相似推荐
其他推荐
- G3F33MT06K-HXY
- NTH4L032N065M3S-HXY
- NVH4L032N065M3S-HXY
- STL13N65M2-HXY
- FCH099N65S3-F155-HXY
- UF3C065080K3S-HXY
- SCT3080ALGC11-HXY
- SCT3080ALHRC11-HXY
- IMW65R083M1HXKSA1-HXY
- UJ3C065080K3S-HXY
- IMZA65R083M1HXKSA1-HXY
- IPW60R045CPFKSA1-HXY
- IPW65R045C7300XKSA1-HXY
- IPW65R045C7FKSA1-HXY
- R6576ENZ4C13-HXY
- R6576KNZ4C13-HXY
- SIHW64N65E-GE3-HXY
- STWA65N045M9-HXY
- IPBE65R099CFD7AATMA1-HXY
- STW50N65DM6-HXY
- STW40N65M2-HXY