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G3F33MT06K-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特点
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性使其在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能，适用于高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类高效电能管理设备。
- 商品型号
- G3F33MT06K-HXY
- 商品编号
- C53134016
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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