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G3F33MT06K-HXY
G3F33MT06K-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性使其在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能，适用于高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类高效电能管理设备。
- 商品型号
- G3F33MT06K-HXY
- 商品编号
- C53134016
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.5克(g)
商品参数
参数完善中
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