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NVH4L023N065M3S-HXY
NVH4L023N065M3S-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为20mΩ，可在高电压、大电流条件下实现低损耗运行。栅源驱动电压范围为-10V至+25V，支持宽范围的驱动信号输入，增强系统设计灵活性。凭借碳化硅材料的物理优势，器件在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换与电力调节场合。
- 商品型号
- NVH4L023N065M3S-HXY
- 商品编号
- C53134009
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.57克(g)
商品参数
参数完善中
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