SCT3030ALHRC11-HXY

SCT3030ALHRC11-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(on)为26mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压、大电流条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备。其宽VGS范围提升了驱动电路的设计灵活性，同时低RDS(on)有助于优化热管理与系统整体能效。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SCT3030ALHRC11-HXY

商品编号

C53134014

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8克(g)