NVHL027N65S3F-HXY

NVHL027N65S3F-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为108A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出优异的导通与开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，可有效降低能量损耗并提升整体运行效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVHL027N65S3F-HXY

商品编号

C53133998

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.01克(g)