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SCT3022ALGC11-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速开关响应，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换及高密度电力电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SCT3022ALGC11-HXY
商品编号: C53133999
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.06克(g)

商品参数

参数完善中