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IXFX120N65X2-HXY
IXFX120N65X2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，宽栅压范围则增强了与不同驱动电路的适配能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合。
- 商品型号
- IXFX120N65X2-HXY
- 商品编号
- C53133995
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
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