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IXFX120N65X2-HXY
IXFX120N65X2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，宽栅压范围则增强了与不同驱动电路的适配能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合。
- 商品型号
- IXFX120N65X2-HXY
- 商品编号
- C53133995
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.97克(g)
商品参数
参数完善中
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