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SCT3080ARC14-HXY
SCT3080ARC14-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高压场景下展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关能力有助于简化散热设计并提升整体能效表现。
- 商品型号
- SCT3080ARC14-HXY
- 商品编号
- C53133983
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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