温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UF3C065080K4S-HXY
UF3C065080K4S-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于简化散热设计并提升整体系统响应速度。
- 商品型号
- UF3C065080K4S-HXY
- 商品编号
- C53133980
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.16克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- SCT3080ARC15-HXY
- SCT3080ARHRC15-HXY
- SCT3080ARC14-HXY
- NTH4L095N065SC1-HXY
- SIHG100N65E-GE3-HXY
- IXTH34N65X2-HXY
- STW32N65M5-HXY
- IPP65R095C7XKSA1-HXY
- IXTP34N65X2-HXY
- STP30N65DM6AG-HXY
- STP32N65M5-HXY
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- STW35N65M5-HXY
- IXFX120N65X2-HXY
- NTH027N65S3F-F155-HXY
- NTHL027N65S3HF-HXY
- NVHL027N65S3F-HXY
- SCT3022ALGC11-HXY
- SCT3022ALHRC11-HXY
- SICW020N065H-BP-HXY