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IPW65R070C6FKSA1-HXY
IPW65R070C6FKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能与开关效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体效率，并简化散热设计。
- 商品型号
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133992
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
参数完善中
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