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NTH4L095N065SC1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块等场景，能够有效提升系统整体性能与可靠性。
- 商品型号
- NTH4L095N065SC1-HXY
- 商品编号
- C53133984
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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