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NTH4L095N065SC1-HXY
NTH4L095N065SC1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块等场景，能够有效提升系统整体性能与可靠性。
- 商品型号
- NTH4L095N065SC1-HXY
- 商品编号
- C53133984
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.2克(g)
商品参数
参数完善中
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