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NVH4L110N65S3F-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其能够在高电压、中等电流条件下维持良好的性能稳定性，适合用于各类高效能电力电子装置中的开关功能实现。
- 商品型号
- NVH4L110N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133975
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
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