温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVH4L110N65S3F-HXY
NVH4L110N65S3F-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数组合使其能够在高电压、中等电流条件下维持良好的性能稳定性，适合用于各类高效能电力电子装置中的开关功能实现。
- 商品型号
- NVH4L110N65S3F-HXY
- 商品编号
- C53133975
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.27克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- SICW100N065H4-BP-HXY
- IPZ65R095C7XKSA1-HXY
- NTH4LN095N65S3H-HXY
- STW38N65M5-4-HXY
- UF3C065080K4S-HXY
- SCT3080ARC15-HXY
- SCT3080ARHRC15-HXY
- SCT3080ARC14-HXY
- NTH4L095N065SC1-HXY
- SIHG100N65E-GE3-HXY
- IXTH34N65X2-HXY
- STW32N65M5-HXY
- IPP65R095C7XKSA1-HXY
- IXTP34N65X2-HXY
- STP30N65DM6AG-HXY
- STP32N65M5-HXY
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- STW35N65M5-HXY
- IXFX120N65X2-HXY
- NTH027N65S3F-F155-HXY