温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SICW100N065H4-BP-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至+25V内可靠运行。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场景，可在紧凑型电力电子系统中实现优异的热性能与开关表现。
- 商品型号
- SICW100N065H4-BP-HXY
- 商品编号
- C53133976
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- IPZ65R095C7XKSA1-HXY
- NTH4LN095N65S3H-HXY
- STW38N65M5-4-HXY
- UF3C065080K4S-HXY
- SCT3080ARC15-HXY
- SCT3080ARHRC15-HXY
- SCT3080ARC14-HXY
- NTH4L095N065SC1-HXY
- IPP65R095C7XKSA1-HXY
- IXTP34N65X2-HXY
- STP30N65DM6AG-HXY
- STP32N65M5-HXY
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- STW35N65M5-HXY
- IXFX120N65X2-HXY
- NTH027N65S3F-F155-HXY
- NTHL027N65S3HF-HXY
- NVHL027N65S3F-HXY
- SCT3022ALGC11-HXY
- SCT3022ALHRC11-HXY