温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SICW100N065H4-BP-HXY
SICW100N065H4-BP-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至+25V内可靠运行。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换场景，可在紧凑型电力电子系统中实现优异的热性能与开关表现。
- 商品型号
- SICW100N065H4-BP-HXY
- 商品编号
- C53133976
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.21克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IPZ65R095C7XKSA1-HXY
- NTH4LN095N65S3H-HXY
- STW38N65M5-4-HXY
- UF3C065080K4S-HXY
- SCT3080ARC15-HXY
- SCT3080ARHRC15-HXY
- SCT3080ARC14-HXY
- NTH4L095N065SC1-HXY
- SIHG100N65E-GE3-HXY
- IXTH34N65X2-HXY
- STW32N65M5-HXY
- IPP65R095C7XKSA1-HXY
- IXTP34N65X2-HXY
- STP30N65DM6AG-HXY
- STP32N65M5-HXY
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- SIHG075N65E-GE3-HXY
- STW35N65M5-HXY
- IXFX120N65X2-HXY
- NTH027N65S3F-F155-HXY
- NTHL027N65S3HF-HXY