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IPW65R095C7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复特性，可降低开关损耗，提高系统开关频率和功率密度
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关性能，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。
- 商品型号
- IPW65R095C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133968
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
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