IPW65R095C7XKSA1-HXY

IPW65R095C7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的开关性能，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R095C7XKSA1-HXY

商品编号

C53133968

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.91克(g)