温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY
IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）和75mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、光伏逆变、储能系统及服务器电源等场景，其宽栅压范围提升了驱动兼容性与运行可靠性。
- 商品型号
- IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133969
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 721pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
相似推荐
其他推荐
- NTHL082N65S3HF-HXY
- R6547ENZ4C13-HXY
- STWA32N65DM6AG-HXY
- STWA38N65DM6AG-HXY
- STWA50N65DM2AG-HXY
- NVH4L110N65S3F-HXY
- SICW100N065H4-BP-HXY
- IPZ65R095C7XKSA1-HXY
- NTH4LN095N65S3H-HXY
- STW38N65M5-4-HXY
- UF3C065080K4S-HXY
- SCT3080ARC15-HXY
- SCT3080ARHRC15-HXY
- SCT3080ARC14-HXY
- NTH4L095N065SC1-HXY
- IPP65R095C7XKSA1-HXY
- IXTP34N65X2-HXY
- STP30N65DM6AG-HXY
- STP32N65M5-HXY
- IPW65R070C6FKSA1-HXY
- SIHG075N65E-GE3-HXY