IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY

IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）和75mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、光伏逆变、储能系统及服务器电源等场景，其宽栅压范围提升了驱动兼容性与运行可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R099CFD7AXKSA1-HXY

商品编号

C53133969

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8克(g)