STWA38N65DM6AG-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在多种高电压开关应用中表现出色，同时宽栅压范围提升了驱动兼容性与系统设计灵活性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STWA38N65DM6AG-HXY

商品编号

C53133973

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8克(g)