STWA50N65DM2AG-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适配能力，同时在高温或高电压工作条件下仍能保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STWA50N65DM2AG-HXY

商品编号

C53133974

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.98克(g)