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STP35N65DM2-HXY
STP35N65DM2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和快速开关特性，适用于高效率、高频率的电力电子系统，如通信电源、光伏逆变器、不间断电源及各类高效能开关转换器，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。
- 商品型号
- STP35N65DM2-HXY
- 商品编号
- C53133962
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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