IPW65R080CFDFKSA2-HXY

IPW65R080CFDFKSA2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、36A的连续漏极电流（ID）以及75mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅极驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备，在提升能效和减小系统体积方面具有显著优势。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R080CFDFKSA2-HXY

商品编号

C53133966

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.88克(g)