IPW65R090CFD7XKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW65R090CFD7XKSA1-HXY

商品编号

C53133967

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.99克(g)