IMW65R072M1HXKSA1-HXY

碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和36A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅极驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。该MOSFET在电力电子系统中可有效支持紧凑型拓扑结构，满足对性能与可靠性的严苛要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IMW65R072M1HXKSA1-HXY

商品编号

C53133964

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.94克(g)